【联系方式】
深圳市明佳达电子有限公司
电话：0755-83957301
QQ：2850151598
网址：www.hkmjd.com
实单欢迎咨询：0755-82530048 陈小姐
【规格】
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：124pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：22W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 600mA，13V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO251-3
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
IPA60R800CE
IPD50R950CE
IPSA70R600CE
IPS70R1K4CE
IPA50R650CE
IPU60R1K0CE
IPU80R1K0CE
IPU50R950CE
IPS70R950CE
IPS65R1K5CE
IPN50R3K0CE
IPD70R2K0CE
IPU50R2K0CE
IPS60R2K1CE
IPS60R1K0CE
IPS70R2K0CE
IPSA70R950CE
IPS60R1K5CE
IPS60R3K4CE
IPU50R3K0CE
IPS65R650CE
IPSA70R2K0CE
IPU60R3K4CE
IPD60R3K4CE
因市场价格变动幅度较大，价格方面请以当天咨询为准，如有不便之处，敬请谅解！！！
