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凯亚达 优质高纯 氧化镓 三氧化二镓 Ga2O3 4N-5N_杭州凯亚达半导体材料有限公司
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杭州凯亚达半导体材料有限公司

碲,硫,无氧硒,氯,氧系化合物,铜铟镓硒,靶材

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凯亚达 优质高纯 氧化镓 三氧化二镓 Ga2O3 4N-5N

凯亚达 优质高纯 氧化镓 三氧化二镓 Ga2O3 4N-5N_图片
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三氧化二镓(Ga2O3)

 

CAS:12024-21-4


1,技术对接:电弧发加热,瞬间使镓气化,气化后的镓蒸气与过量的氧气CVD化学气相沉积而成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不含任


何酸根离子;:氯离子,硝酸根离子;


2,检验: GDMS (%纯度:所有的杂质元素低于100ppm)


          XRD:(主峰完全对称);激光粒度分析仪:(粒径:D50<10微米);


3,服务:提供MSDS及实用的防护措施;提供材料的应用解决方案;提供免费样品;


4,性状:α-Ga2O3为六方晶型,β-Ga2O3属于单斜晶型;


5,纯度:%-%;


6,外观:纯白色粉末;


7,包装:瓶装:1Kg/,外加铝复合薄膜真空包装;


8,应用:TGG单晶,光电子器件,紫外线滤光片等;

9,交期:50公斤/5

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